Учебники

Методы смещения транзистора

Смещение в транзисторных цепях осуществляется с помощью двух источников постоянного тока V BB и V CC . Экономично сводить источник постоянного тока к одному источнику вместо двух, что также упрощает схему.

Обычно используемые методы смещения транзистора

  • Метод базового резистора
  • Коллектор на базовый уклон
  • Смещение с резистором обратной связи коллектора
  • Смещение делителя напряжения

Все эти методы имеют один и тот же базовый принцип получения требуемых значений I B и I C из V CC в условиях нулевого сигнала.

Метод базового резистора

В этом методе резистор R B с высоким сопротивлением подключается к базе, как следует из названия. Требуемый нулевой базовый ток сигнала обеспечивается V CC, который протекает через R B. Основание эмиттерного соединения смещено вперед, так как база положительна по отношению к эмиттеру.

Требуемое значение нулевого базового тока сигнала и, следовательно, тока коллектора (как I C = βI B ) может быть выполнено путем выбора правильного значения базового резистора RB. Следовательно, значение R B должно быть известно. На рисунке ниже показано, как выглядит метод смещения схемы с базовым резистором.

Схема смещения

Пусть I C будет требуемым нулевым током коллектора сигнала. Следовательно,

IB= fracIC beta

Рассматривая замкнутую цепь от V CC , базы, эмиттера и земли, применяя закон напряжения Кирхгофа, мы получаем,

VCC=IBRB+VBE

Или же

IBRB=VCCVBE

Следовательно

RB= fracVCCVBEIB

Поскольку V BE обычно довольно мала по сравнению с V CC , им можно пренебречь с небольшой ошибкой. Затем,

RB= fracVCCIB

Мы знаем, что V CC является фиксированной известной величиной, и I B выбирается при некотором подходящем значении. Поскольку R B может быть найден напрямую, этот метод называется методом фиксированного смещения .

Фактор стабильности

S= frac beta+11 beta left( fracdIBdIC right)

В методе смещения с фиксированным смещением I B не зависит от I C, так что

 fracdIBdIC=0

Подставляя вышеуказанное значение в предыдущее уравнение,

Коэффициент устойчивости, S= beta+1

Таким образом, коэффициент устойчивости при фиксированном смещении равен (β + 1), что означает, что I C изменяется (β + 1) в разы по сравнению с любым изменением I CO .

преимущества

  • Схема проста.
  • Требуется только один резистор R E.
  • Условия смещения устанавливаются легко.
  • Эффект нагрузки отсутствует, так как резистор отсутствует в соединении база-эмиттер.

Недостатки

  • Стабилизация плохая, поскольку выделение тепла невозможно остановить.

  • Коэффициент устойчивости очень высок. Так что есть большие шансы на тепловое убегание.

Стабилизация плохая, поскольку выделение тепла невозможно остановить.

Коэффициент устойчивости очень высок. Так что есть большие шансы на тепловое убегание.

Следовательно, этот метод используется редко.

Коллектор на базовый уклон

Схема смещения между коллектором и базой такая же, как и схема смещения базы, за исключением того, что резистор R B базы возвращается к коллектору, а не к источнику питания V CC, как показано на рисунке ниже.

Коллекционная база

Эта схема помогает значительно улучшить стабильность. Если значение I C увеличивается, напряжение на R L увеличивается, и, следовательно, V CE также увеличивается. Это в свою очередь уменьшает базовый ток I B. Это действие несколько компенсирует первоначальное увеличение.

Требуемое значение R B, необходимое для задания тока I C коллектора нулевого сигнала, можно рассчитать следующим образом.

Падение напряжения на R L будет

RL=(IC+IB)RL congICRL

С рисунка

ICRL+IBRB+VBE=VCC

Или же

IBRB=VCCVBEICRL

Следовательно

RB= fracVCCVBEICRLIB

Или же

RB= frac(VCCVBEICRL) betaIC

Применяя КВЛ мы имеем

(IB+IC)RL+IBRB+VBE=VCC

Или же

IB(RL+RB)+ICRL+VBE=VCC

Следовательно

IB= fracVCCVBEICRLRL+RB

Поскольку V BE практически не зависит от тока коллектора, мы получаем

 fracdIBdIC= fracRLRL+RB

Мы знаем это

S= frac1+ beta1 beta(dIB/dIC)

Следовательно

S= frac1+ beta1+ beta left( fracRLRL+RB right)

Это значение меньше, чем (1 + β), которое получается для цепи с фиксированным смещением. Таким образом, наблюдается улучшение стабильности.

Эта схема обеспечивает отрицательную обратную связь, которая уменьшает усиление усилителя. Таким образом, повышенная устойчивость коллектора к цепи смещения базы достигается за счет усиления напряжения переменного тока.

Смещение с резистором обратной связи коллектора

В этом способе базовый резистор R B имеет один конец, соединенный с базой, а другой с коллектором, как следует из его названия. В этой схеме нулевой базовый ток сигнала определяется V CB, но не V CC .

Ясно, что V CB смещает прямое соединение база-эмиттер, и, следовательно, ток I B базы протекает через R B. Это заставляет ток коллектора нулевого сигнала течь в цепи. На рисунке ниже показано смещение цепи резистора обратной связи коллектора.

Обратная связь коллекционера

Требуемое значение R B, необходимое для выдачи нулевого тока сигнала I C, может быть определено следующим образом.

VCC=ICRC+IBRB+VBE

Или же

RB= fracVCCVBEICRCIB

= fracVCCVBE betaIBRCIB

Так как IC= betaIB

С другой стороны,

VCE=VBE+VCB

Или же

VCB=VCEVBE

поскольку

RB= fracVCBIB= fracVCEVBEIB

куда

IB= fracIC beta

Математически,

Коэффициент устойчивости, S<( beta+1)

Следовательно, этот метод обеспечивает лучшую термическую стабильность, чем фиксированное смещение.

Значения Q-точки для цепи показаны как

IC= fracVCCVBERB/ beta+RC

VCE=VCCICRC

преимущества

  • Схема проста, так как для нее нужен только один резистор.
  • Эта схема обеспечивает некоторую стабилизацию для меньших изменений.

Недостатки

  • Схема не обеспечивает хорошую стабилизацию.
  • Схема обеспечивает отрицательную обратную связь.

Метод смещения делителя напряжения

Среди всех методов обеспечения смещения и стабилизации наиболее предпочтительным является метод смещения делителя напряжения . Здесь используются два резистора R 1 и R 2 , которые подключены к V CC и обеспечивают смещение. Резистор R E, используемый в эмиттере, обеспечивает стабилизацию.

Название делителя напряжения происходит от делителя напряжения, образованного R 1 и R 2 . Падение напряжения на прямой R 2 смещает переход база-эмиттер. Это вызывает ток базы и, следовательно, ток коллектора в условиях нулевого сигнала. На рисунке ниже показана схема метода смещения делителя напряжения.

Делитель напряжения

Предположим, что ток, протекающий через сопротивление R 1, равен I 1 . Поскольку базовый ток I B очень мал, поэтому можно с достаточной точностью предположить, что ток, протекающий через R 2 , также равен I 1 .

Теперь давайте попробуем вывести выражения для тока коллектора и напряжения коллектора.

Ток коллектора, I ц

Из схемы видно, что

I1= fracVCCR1+R2

Следовательно, напряжение на сопротивлении R 2 составляет

V2= left( fracVCCR1+R2 right)R2

Применяя закон напряжения Кирхгофа к базовой цепи,

V2=VBE+VE

V2=VBE+IERE

IE= fracV2VBERE

Так как I E ≈ I C ,

IC= fracV2VBERE

Из вышеприведенного выражения видно, что I C не зависит от β. V BE очень мала, и V C вообще не влияет на I BE . Таким образом, I C в этой схеме практически не зависит от параметров транзистора и, следовательно, достигается хорошая стабилизация.

Напряжение коллектора-эмиттера, V CE

Применяя закон напряжения Кирхгофа на стороне коллектора,

VCC=ICRC+VCE+IERE

Так как я E ≅ I C

=ICRC+VCE+ICRE

=IC(RC+RE)+VCE

Следовательно,

VCE=VCCIC(RC+RE)

R E обеспечивает отличную стабилизацию в этой цепи.

V2=VBE+ICRE

Предположим, что происходит повышение температуры, тогда ток коллектора I C уменьшается, что вызывает падение напряжения на R E, чтобы увеличиваться. Поскольку падение напряжения на R 2 составляет V 2 , которое не зависит от I C , значение V BE уменьшается. Уменьшенное значение I B стремится восстановить I C к исходному значению.

Коэффициент стабильности

Уравнение для коэффициента устойчивости этой схемы получается как

Коэффициент стабильности = S= frac( beta+1)(R0+R3)R0+RE+ betaRE

=( beta+1) times frac1+ fracR0RE beta+1+ fracR0RE

куда

R0= fracR1R2R1+R2

Если отношение R 0 / R E очень мало, тогда R0 / RE можно пренебречь по сравнению с 1, и коэффициент стабильности становится

Коэффициент стабильности = S=( beta+1) times frac1 beta+1=1

Это наименьшее возможное значение S и приводит к максимально возможной термостабильности.